Čínská univerzita dosáhla významného průlomu v oblasti polovodičové technologie. Výzkumníci vyvinuli první 2D GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor) tranzistor, který nepoužívá křemík. Místo toho je tento revoluční tranzistor postaven na bázi bismutu. Tento nový tranzistor, založený na 2D materiálech, slibuje nejen vyšší rychlost, ale také výrazně nižší spotřebu energie ve srovnání s tradičními křemíkovými tranzistory. Podle univerzity je tento bismutový tranzistor „nejrychlejším a zároveň energeticky nejúspornějším tranzistorem současnosti“. Použití bismutu namísto křemíku otevírá nové možnosti v oblasti miniaturizace a zvyšování výkonu elektronických zařízení. 2D struktura tranzistoru umožňuje efektivnější kontrolu toku elektronů,…
Číst dále...Čínská univerzita navrhla první 2D GAAFET tranzistor na světě bez křemíku
