Kioxia a Sandisk předvedly 3D NAND flash paměť s 332 aktivními vrstvami. Výrobci tím ukázali další krok ve vývoji vysokohustotních pamětí, které mohou v budoucnu zvýšit kapacitu SSD bez odpovídajícího zvětšování jejich fyzických rozměrů.
Princip 3D NAND spočívá ve skládání paměťových buněk nad sebe. Namísto neustálého rozšiřování čipu do stran mohou výrobci přidávat další vrstvy do výšky. Tím se zvyšuje množství uložených dat na jednotku plochy a současně se zlepšuje efektivita výroby.
Představené řešení má podporovat rozhraní s rychlostí až 4 800 MT/s. Tento údaj se týká rychlosti přenosu dat mezi paměťovými čipy a řadičem. Neznamená automaticky, že běžné SSD dosáhne stejné sekvenční rychlosti, protože výsledný výkon závisí také na řadiči, typu pouzdra, firmwaru a celkové konstrukci disku.
Paměť nabízí vysokou hustotu a rozhraní s rychlostí 4 800 MT/s
Vyšší hustota může výrobcům pomoci nabídnout úložiště s kapacitou několika terabajtů v běžném formátu. Výhodu by mohly získat také podnikové systémy, kde je důležitá kapacita v datových centrech a každý ušetřený prostor znamená nižší náklady na energii a chlazení.
Technologie však zatím představuje především demonstraci výrobních možností. Než se dostane do běžně prodávaných SSD, musí projít dalšími testy a optimalizací. Výslednou cenu ovlivní také stav trhu s paměťmi, který se stále potýká s výkyvy nabídky a poptávky.
Zdroj: tomshardware.com